在H2O2-H2SO4-H2O溶液的InP化学腐蚀

摘要

＜正＞ 在InGaAsP/InP长波长光电器件制备中,通常InP衬底是用Br2-CH3OH溶液腐蚀,但是腐蚀后的表面仍出现大量的小坑和划痕.实验证明用H2O2-H2SO4-H2O先对InP衬底预腐蚀,再经三氯乙稀、丙酮和酒精清洗,然后在室温下,用Br2-CH3OH搅拌腐蚀可以得到光亮无小坑划痕的InP表面,减少衬底缺陷向外延层的蔓延,从而改善了外延层表面.