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Si衬底上Co薄膜氧化观察

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摘要

用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响．

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来源
《金属学报》 |1994年第18期||共页
作者
张灶利; 肖治纲; 杜国维;
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作者单位

北京科技大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
薄膜; Co－Si化合物; 氧化;

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