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工艺监控用的金探针快速C-V测定

         

摘要

<正>MOS结构的C-V特性测量技术,不论在半导体器件、集成电路制造工艺方面,还是在半导体表面钝化与表面物理的研究方面都是一种能够测量多种参数、操作简便、便于自动描绘的非破坏性的测量方法。它可广泛用于生产工艺过程的监控。

著录项

  • 来源
    《半导体技术》 |1982年第6期|62-62|共1页
  • 作者

    胡建强;

  • 作者单位
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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