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陈中佛;
机译:用于低功耗高速集成电路的1微米多晶硅自对准双极工艺
机译:传播延迟表达式及其在多晶硅发射极ECL工艺优化中的应用
机译:耐辐射场氧化物和钝化膜在双极IC工艺中的应用
机译:双多晶硅双极工艺,最小发射极宽度为0.3- / splμ/ m,适用于低功率无线应用的NMOS晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于单片三维集成电路应用的低成本和低温多晶硅纳米线传感器阵列的制造
机译:从双极集成电路晶片上的氧等离子体光致抗蚀剂的氧等离子体剥离-工艺开发
机译:离子注入在单片双极模拟集成电路制造中的应用
机译:BICMOS应用中用于双多晶硅发射极和反向MOS的无硅工艺
机译:BiCMOS应用中用于双多晶硅发射极和反向MOS的无硅工艺
机译:在使用局部互连的双多晶硅,自对准硅化物工艺中的耐腐蚀应用中,形成高价值的节点间耦合电阻的技术
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