用SiH4-NH3体系减压化学汽相淀积氮化硅薄膜的工艺研究

摘要

＜正＞近些年来,使用扩散炉由减压方式产生的化学汽相淀积技术（简称LPCVD技术）,在一些技术发达的国家中已有很大的突破和进展,国内对这项技术也引起了极大的重视,并且取得了较快的进展。LPCVD技术所以能被迅速的接受,是由于它采用密集垂直装片方式,生产量大,效率高。同时,它在一个固定的电阻炉内硅片直接受热,在低压下可以导致淀积非常均匀的薄膜厚度和组份。 采用LPCVD技术淀积多晶硅、氮化硅、二氧化硅和磷硅玻璃等薄膜,近些年国外不断有所报导。表1列出了各种淀积膜的现状。 近两年来用LPCVD技术淀积多晶硅、氮化硅薄膜国内也有些报导。特别是LPCVD多晶硅报导的较多,进展较显著,问题点也不多。而LPCVD氮化硅薄膜与多晶硅比较,生长