用金球C-V技术测量热生长SiO2中电荷分布时的适用范围的研究

摘要

本文对在采用金球C-V技术,按照文献[2]所介绍的用d~2VFB)/dx~2求热生长SiO2中电荷分布时的适用范围进行了研究.在我们的实验中发现:1)当SiO2减薄到200～300 A时,对测量数据的处理一定要填重.2)当SiO2减薄到小于700（?）后,只要平带电压仍为负值时,测量值是不可靠的.