高压氧化对硅中杂质扩散的影响

摘要

用扩展电阻探针等方法观测了经5～6atm高压水汽氧化后,（111）-Si中P、B、Sb的扩散分布,在823～940℃的工艺低温区发现:P、Sb的扩散减缓（ORD）,而B则出现增强扩散和减缓扩散的转变.与常压下硅中杂质ORD的数据比较表明,加大氧压将引起从DED到ORD的转变温度（TR）向低温方向移动.