一种P型杂质扩散结屏蔽栅硅二极管硅芯及其二极管

摘要

本实用新型公开了一种P型杂质扩散结屏蔽栅硅二极管硅芯，其包括一个或多个硅芯单元结构；其中硅芯单元结构为方柱形状，其顶面为台阶面，底面为平面，四个单元结构侧面与底面垂直；台阶面处向内扩散形成等厚度的P+型杂质扩散层，底面处向内扩散形成等厚度的N+型杂质扩散，P+型杂质扩散层和N+型杂质扩散层之间为N‑型硅单晶层。本实用新型通过对硅芯结构进行改进，在其中心的台面四周设置了下凹的平台面并通过扩散P+型杂质从而形成了P型杂质扩散结屏蔽栅，借助于P型杂质扩散结屏蔽栅的静电屏蔽效应可以显著提高器件的PN结反向击穿电压性能，而且无需额外增加硅单晶电阻率和硅本征层厚度。