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砷化镓离子注硅用不同退火方法 退火后的光荧光特性研究

         

摘要

本文对砷化镓离于注硅用SiO2和Si3N4包封及无包封退火后的样品作了低温光荧光测量,发现这三种样品测得的光荧光谱有很大差别.荧光测量结果很好地说明了这些样品电学性能不同的原因.

著录项

  • 来源
    《半导体技术》 |1989年第6期|14-17|共4页
  • 作者

    张丽珠; 张伯蕊; 罗海云;

  • 作者单位

    北京大学物理系;

    北京大学物理系;

    机电部十三所;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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