首页> 中文期刊> 《半导体技术》 >pn结雪崩击穿噪声的特点及利用

pn结雪崩击穿噪声的特点及利用

         

摘要

<正>一、雪崩击穿噪声的特点1.pn结击穿噪声为雪崩击穿所特有.图1为击穿电压VB与击穿噪声密度Vi关系曲线.从图1可以看到,当VB<3V时噪声可忽略,在3~7V时急剧上升,在7V以上,则呈幂函数关系:Vi≈1.8×10-5VB~0.222.pn结击穿噪声频带比1/f噪声更宽.1/f噪声主要在1kHz以内,上限0.1~1MHz而雪崩击穿噪声在10kHz以内,上限10~100

著录项

  • 来源
    《半导体技术》 |1989年第6期|12-14|共3页
  • 作者

    沈福兴;

  • 作者单位

    南通晶体管厂;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号