Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами

摘要

Моделируется лавинно-каскадное усиление в обратно смещенных pn-i-pn структурах в линейном и нелинейном режимах.udИсследовано влияние заряда подвижных носителей, концентрации примесных атомов, электрического поля и величины обратногоudсмещения на коэффициент усиления. Оценена резонансная частота GaAs pn-i-pn структур. Определено влияние времени жизниudнеравновесных носителей тока на величину порогового тока GaAs pn-i-pn структур.