钨的热壁低压选择性化学气相淀积

摘要

超大规模集成电路需要低阻互连和低阻接触,为此我们研究了热壁低压选择性化学气相淀积钨的新工艺.该工艺能选择性地把钨淀积在接触窗口、栅及其互连线、源漏上而不淀积在周围的氧化层上.钨膜纯度高,电阻率低,与n+、P+单晶硅及n+多晶硅接触电阻小.因此是超大规模集成电路较理想的新工艺和新材料.