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戴世章;
重庆光电技术研究所;
机译:离子注入的IV族半导体中Alfven波的色散和吸收
机译:X-射线CTR散射法根据膜厚和生长温度分析III-V族化合物半导体量子阱结构中III族组成分布
机译:高通量离子注入机,用于III-V族化合物半导体对环境有益的产品
机译:对III-V族化合物半导体的等离子退火(等离子沉积,硅氮化物,离子注入)进行俄歇电子和X射线光电子能谱研究。
机译:通过离子注入将有机半导体转变为低阻材料
机译:第四族,InP和GaAs半导体中惰性气体离子注入的预计射程,跨束和溅射产率
机译:IV族和III-V族半导体中离子注入物种的光学研究。
机译:离子注入的III族氮化物半导体基体,III族氮化物层的结合基体以及III族氮化物半导体器件的制造方法
机译:离子注入III族氮化物半导体基体,III族氮化物层结基体,III族氮化物半导体装置的制造方法
机译:离子注入In基III-V族化合物半导体
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