InGaAsP/InP激光晶体管

摘要

＜正＞ 日本松下电器制作出InGaAsP/InP激光晶体管,在室温附近已实现连续振荡。激光晶体管是具有半导体激光器和异质结双极晶体管（HBI）两种光功能的集成器件,该公司着眼于研制在饱和时发光的HBT。该器件的光电子集成度很高,光学器件和电学器件的外延结构相同。器件结构是:在n-InP衬底上用液相外延法依次生长集电极层、基极层、发射极层,顶层。基极层由p-InGaAsP构成,厚0.2μm,宽几μm,杂质浓度是1×1017cm-3。发射极层、集电极层是n-InP(5×1017