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PECVD氮化硅及其在MIS—IL太阳电池中的应用

         

摘要

本文对在不同工艺条件下制备的等离子氮化硅膜的光学、电学等特性进行了研究,摸索出作为MIS—IL太阳电池抗反射膜的最佳工艺条件。并将等离子氮化硅用于MIS—IL硅太阳电池的研制,获得了转换效率13.5%(AM1.5,100mW/cm~2,25℃)的实验结果。

著录项

  • 来源
    《半导体光电》 |1988年第3期||共页
  • 作者

    刘新明; 刘恩科;

  • 作者单位

    西安交通大学电子工程系;

    西安交通大学电子工程系 西安交通大学生物医学工程研究所;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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