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尹华琼李全臻;
重庆光电技术研究所;
机译:金属有机化学气相沉积使用CBr_4在GaAs衬底上Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)中的碳掺杂和腐蚀
机译:(113)B GaAs衬底上生长的GaAs / Ge / GaAs异质结构中的亚晶格反转
机译:GaAs衬底中EL2的光猝灭对GaAs / AlAs短周期超晶格很好约束的GaAs单量子的压电光热和表面光电压谱的影响
机译:在GaAs衬底上发射的InAs量子点的光学和结构特性,在GaAs衬底上生长为在{sub} xga {sub}(1-x)中作为变质缓冲层
机译:利用变质外延和杂化III-V异质结构在GaAs衬底上的多光谱光电探测器
机译:GaAs纳米线中的衬底和Mg掺杂效应
机译:18. MBE在阶梯状衬底上生长的GaAs的电学性质(大阪大学工程科学研究生院物理系,硕士论文/摘要(1989年))
机译:H2sO4-H2O2-H2O体系中优先化学蚀刻制备Gaas衍射光栅的轮廓和凹槽深度控制。
机译:用于产生连通的中空空间的方法,包括提供硅衬底,在该硅衬底中引入第一掩模和第二掩模,从而通过电化学腐蚀在硅衬底中制造两个不同的多孔层。
机译:半导体异质结构,ii vi化合物,在欧姆化学接触中包含与p-gaas衬底
机译:在GaAs衬底中形成离子注入活性结构的零方式
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