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GaAs衬底在H2SO4-H2O2-H2O系中的择优腐蚀

     

摘要

为研制具有沟道衬底的单模激光器,讨论了H2SO4—H2O2一H2O系对。GaAs衬底的择优腐蚀。分别对不同组分的腐蚀剂和温度进行了比较,实验得到在低浓度H2SO4溶液中腐蚀GaAs衬底获得了平底槽,在高浓度H2SO4溶液中获得了非平底槽。在GaAs(100)面上沿[011]和[011]方向开槽分别获得了倒台型和V形槽衬底。满足了器件设计的要求。

著录项

  • 来源
    《半导体光电》|1983年第3期|15-19|共5页
  • 作者

    尹华琼李全臻;

  • 作者单位

    重庆光电技术研究所;

    重庆光电技术研究所;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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