儿童T淋巴细胞不同剂量辐射后DNA合成的增殖反应的应答

摘要

观察儿童T淋巴细胞低剂量辐射后DNA合成的刺激效应和对大剂量辐射的适应性反应。 8例儿童外周血T淋巴细胞培养后 ,予以不同的低剂量辐射 ,用14 C TdR （14 C 胸腺嘧啶核苷 ）或3 H TdR （3 H 胸腺嘧啶核苷 ）掺入法观察T淋巴细胞DNA合成 ,用掺入百分率和辐射损伤减轻百分数 （DRP ）分别表达刺激效应和适应性反应。T淋巴细胞经 2、 5、 10cGy照射后14 C TdR掺入与 0cGy比较分别是 10 7 7%、 12 5 5 %、 133 8% ,明显增加了DNA合成。分别予以 0 5、 1 0、 1 5、 2 0、 3 0、 4 0cGy不同剂量辐射后 ,DRP分别是 2 0 8%、 33 2 %、 5 3 4 %、 4 9 0 %、 2 8 9%。 1 5cGy辐射后 6、 2 4、 4 8、 72h ,DRP分别是2 2 2 %、 5 3 4 %、 36 6 %、 11 1%。 1 5cGy辐射后 2 4h再予以 1、 3、 5、 7Gy不同大剂量辐射 ,DRP分别是 30 7%、 4 5 1%、2 6 4 %、 11 9%。儿童T淋巴细胞经适宜的低剂量辐射后可以明显增加DNA合成 ,1 5cGy辐射后 2 4h对 3Gy大剂量辐射适应性反应表达最为充分