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陈岩陈启谨崔玉德孙碧武林彰达;
中科院物理所表面物理国家重点实验室!北京;
100080;
表面结构; 单晶硅衬底; 生长速率; 过渡层;
机译:通过MOCVD研究缓冲层和氮化层对InN生长初期对蓝宝石的影响
机译:生长在硅衬底上并在氢气中退火的SiO2 / Si3N4 / SiO2叠层膜的组成和电性能
机译:羟基化SiO2表面HfO2原子层沉积初期的密度泛函理论研究
机译:CVD金刚石和DLC膜生长的组合与脉冲激光沉积,增强了金刚石层的腐蚀性保护
机译:类金刚石碳膜和金刚石膜的生长和特征:原子氢束的作用和电子场发射的研究。
机译:通过直接等离子体辅助氧化控制4H-SiC上生长的SiO2膜中的缺陷和过渡层
机译:应变对凝结生长具有纳米GexSi1-x层的SiO2 / GexSi1-x / SiO2 /(100)Si结构的Ge悬空键界面缺陷的钝化效率的影响
机译:C060伽马辐射对蒸汽生长siO2 mOs结构影响的研究
机译:在其上生长单晶金刚石的基础材料包括基础衬底,键合的单晶MgO层和异质外延膜,以及在该基础材料上制造单晶金刚石衬底的方法
机译:在碳基底上制造碳化物薄层,在碳化物层上生长金刚石或类金刚石膜并去除碳基底的方法
机译:金刚石膜和在非金刚石基底上生长金刚石膜的方法
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