首页> 中文期刊> 《真空科学与技术学报》 >真空蒸发沉积VOPc薄膜及磁场对薄膜结构与性能的影响

真空蒸发沉积VOPc薄膜及磁场对薄膜结构与性能的影响

         

摘要

用真空蒸发制备了酞菁氧钒 (VOPc)薄膜 ,并在磁场中进行了热处理。用X光电子能谱、X射线衍射、紫外 可见吸收光谱、原子力显微镜等手段对制备的薄膜进行了表征。结果表明沉积的酞菁氧钒薄膜为α 型 ,成分接近酞菁氧钒的分子式。制备的薄膜在磁场中进行了热处理 ,发现磁场使酞菁氧钒薄膜性质发生改变 :UV VIS吸收谱Q带发生红移 ;XRD谱图衍射峰强度明显增强 ,峰位略有变化 ;原子力显微镜 (AFM)分析发现晶粒大小无明显变化。以上结果说明磁场的存在使得VOPc分子在热处理过程中发生了定向的排列

著录项

  • 来源
    《真空科学与技术学报》 |2003年第4期||共页
  • 作者单位

    浙江大学硅材料国家重点实验室;

    浙江大学硅材料国家重点实验室;

    浙江大学硅材料国家重点实验室;

    浙江大学硅材料国家重点实验室;

    日本神户大学工学部 浙江杭州310027研究员;

    博导;

    浙江杭州310027;

    浙江杭州310027;

    浙江杭州310027;

    日本国神户滩区六甲657-8501;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 O484.43;
  • 关键词

    酞菁氧钒; 磁场; 定向排列;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号