第三届国际分子束外延会议

摘要

＜正＞ 第三届国际分子束外延会议于1984年8月1日至3日在美国旧金山召开。这是每两年一次的会议。前两届会议分别在日本和法国召开。下届会议将于1986年9月7日至10日在英国召开。 参加本届会议的代表有350人左右,向大会提交论文139篇。其中美国66篇,日本27篇,中国3篇。会议内容十分丰富,主要包含Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族及多元化合物和高熔点Si及金属与合金薄膜的制备与性能研究,特别侧重于超薄层、超晶格及多层异质外延材料的研究。所有这些研究都充分反映了MBE技术具有很强的工艺控制能力,已成为开拓新材料新器件的有力工具。下面介绍MBE技术在几个重要方而取得的进展。