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公开/公告号CN115637490A
专利类型发明专利
公开/公告日2023-01-24
原文格式PDF
申请/专利权人 季华实验室;
申请/专利号CN202211378289.1
发明设计人 黄星星;吴进;毕诗博;侯少毅;胡强;
申请日2022-11-04
分类号C30B23/02;C30B23/06;C23C14/26;C30B29/40;C30B25/22;
代理机构佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人陈椅行
地址 528200 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
入库时间 2023-06-19 18:25:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-24
公开
发明专利申请公布
机译: 适用于分子束外延装置的坩埚,以及具有该元件的分子束外延装置
机译: 用于分子束外延的分子束源坩埚
机译: 分子束源细胞,分子束外延生长装置和分子束外延生长
机译:坩埚孔径:在氧化物分子束外延工艺中减少源氧化的有效方法
机译:分子束外延与分子束外延溅射分子束外延生长的SiC层的表面性能
机译:六方氮化镓薄膜的离子束辅助分子束外延与常规分子束外延的比较
机译:气源分子束外延源供应中断气源分子束外延的光致发光研究
机译:通过分子束外延,使用Fe3O 4作为自旋电子学,通过分子束外延了解宽带隙半导体上的电活性界面形成
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:坩埚孔径:减少氧化物中源氧化的有效方法 分子束外延过程
机译:用于预制集成电路上分子束外延的硅样品架