扩展电阻技术及其应用

摘要

本文详细地介绍了包括实验装置、测量程序和数据分析在内的扩展电阻技术.基于这种技术制成了自动两探针扩展电阻测试设备,在离子注入硅片表面得到的测量重复性介于1～3%,在单晶样品上电阻率的测量误差不大于15%.借助扩展电阻技术得到的掺杂分布能与C—V法结合阳极氧化剥层技术得到的分布相一致.基于单层突变结理论,使用计算机计算了修正因子.最后,详细阐述了扩展电阻技术的应用.