SOI/SDB中一种减薄技术——电化学腐蚀自停止机理的研究与应用

摘要

＜正＞ 一、引言 制备新型高质量SOI材料的直接键合法——SDB技术（Silicon-Wafers Direct Bonding Technique）正受到人们的密切注视。如何获得制作器件所需要的硅膜,这是SDB技术步入实用化,应用于超大规模集成电路领域的关键。SDB中的减薄技术不同于常规的腐蚀和抛光工艺,它是将已键合好的厚度为350μm Si片大面积均匀减薄至数微米甚至更薄的Si膜,本工作利用KOH水溶液电化学腐蚀自停止效应,成功地获得了由外延（或扩散）层控制的表面平整光洁、厚度为1μm的大面积整片SOI硅膜。