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陈军宁; 黄庆安; 童勤义;
复旦大学电子工程系;
东南大学微电子中心;
硅片; SOI; SDB; 化学腐蚀; 半导体器件;
机译:腐蚀与流动动力学耦合分析的核电厂冷却系统部件腐蚀损伤评估方法(iii):利用静态电化学分析和动态双氧化物层耦合模型对壁的减薄率进行重新评估
机译:使用电化学减薄和化学蚀刻制备键合硅片的纳米图案表面:扫描隧道显微镜研究
机译:通过高速化学干燥减薄硅片过程中的气体浓度变化来提高弯曲应力并降低表面粗糙度
机译:考虑实际腐蚀减薄形状的高强度螺栓残余轴向力评估方法研究
机译:拉斯帕尔马斯省(加那利群岛)锌腐蚀性研究。用电化学方法表征腐蚀进程和腐蚀产物膜。
机译:我们什么时候应该在血小板减薄患者中思考骨髓癌或骨髓衰竭?一种实用的诊断方法
机译:使用澳大利亚红杉的减薄和板坯木材的化学和能量表征使用澳大利亚雪松接缝和减薄的化学和能量表征
机译:目前的硅片减薄并粘合到太阳帆的膜技术上
机译:腐蚀减薄测试设备和腐蚀减薄测试方法
机译:用于减薄硅片化学工艺的选择性蚀刻剂的成分
机译:通过机械抛光的部分蚀刻和化学蚀刻(最好使用钾盐)对硅片进行减薄
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