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机译:使用电化学减薄和化学蚀刻制备键合硅片的纳米图案表面:扫描隧道显微镜研究
CEA, DRFMC, F-38054 Grenoble 9, France;
Univ Grenoble 1, IUT 1, F-38000 Grenoble, France;
CEA, DRT, LETI, F-38054 Grenoble 9, France;
silicon; thinning; sacrificial anodic oxidation; wafer bonding; chemical etching; nanopatterned surface; GE QUANTUM DOTS; DISLOCATION NETWORKS; GROWTH;
机译:用于制备铂/铱尖端的交流电化学蚀刻的自动关断系统,用于扫描隧道显微镜和铂氯化铂颗粒副产物的研究
机译:扫描隧道显微镜压痕与电化学蚀刻相结合的技术对溶液中MoSe2的表面改性
机译:通过扫描电化学显微镜研究AA2098-T351和表面制备效果的局部电化学行为
机译:使用扫描电化学显微镜将薄PANI膜薄膜膜的电化学研究
机译:超高真空扫描隧道显微镜的开发。溴暴露下硅(111)和锗(111)表面蚀刻的扫描隧道显微镜研究
机译:使用扫描电化学显微镜超薄纳米多孔膜作为探索sun Yatsen的离子选择透过性微量吸管支持的ITIEs提示
机译:原位电化学,电化学石英晶体微量天平,扫描隧道显微镜和表面X射线散射研究Au(111)电极表面上欠电沉积的Ag双层处的Ag / AgCl反应
机译:通过扫描电化学显微镜,扫描隧道显微镜和扫描隧道光谱法对Cds颗粒薄膜进行电学和光电化学表征