WSix/n-GaAs肖特基势垒特性研究

摘要

本文对WSix/n-GaAs肖特基势垒进行了性能研究。用复合靶溅射和双靶分层溅射的方法在n型GaAs上淀积WSix膜。通过饿歇电子谱（AES）和卢瑟福背散射（RBS）等方法分析了WSix的化学配比和高温退火前后WSix/n-GaAs界面的变化,利用电流电压法（I—V）对肖特基结进行了二极管测试。发现对复合靶样品,x=0.3～2.5,势垒高度φB在0.66～0.70伏范围内,n为1.01。双靶样品结果也相近。950℃退火后WSix膜保持完好。