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董毅敏; 蔡道民; 高学邦; 邬佳晟; 汪江涛; 谭仁超;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
石家庄050051;
氮化镓(GaN); 单片微波集成电路(MMIC); Doherty功率放大器(DPA); 负载调制; 高电子迁移率晶体管(HEMT);
机译:准MMIC技术的1.8–3.2 GHz Doherty功率放大器
机译:紧凑型GaN MMIC Doherty功率放大器的设计和具有X参数的5G通信系统级分析
机译:采用GaN MMIC技术的4W Doherty功率放大器,用于15GHz应用
机译:KA波段MMIC GaN Doherty功率放大器:关于技术和架构的考虑因素
机译:使用Doherty技术提高氮化镓HFET技术中微微小区基站功率放大器MMIC的效率。
机译:GaAs MMIC的Au-Sn焊料与不同背面金属化系统之间的微观结构表征和界面反应
机译:利用MMIC技术研究微波Doherty功率放大器的小型化和宽带化
机译:用于射频应用的包络开关Doherty功率放大器(预印本)
机译:MMIC功率放大器稳定性标准方法和MMIC功率放大器设计方法使用相同
机译:Doherty功率放大器以及提高Doherty功率放大器的功率放大效率的方法和装置
机译:双频DOHERTY组合器/阻抗变压器电路和包含相同功能的DOHERTY功率放大器
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