电感耦合等离子体CVD室温制备的纳米Si薄膜场电子发射研究

摘要

利用电感耦合等离子体化学气相沉积在室温下制备了Si薄膜，用拉曼谱对样品的结构进行了表征，502cm^-1附近散射峰的出现说明在样品中形成了纳米结晶相．用原子力显微镜观察样品表面形貌发现，在合适的等离子体条件下制备的样品，其表面由随机均匀排列的高密度Si锥组成，Si锥的高度为30～40nm，底面平均直径约为200nm．场电子发射测量结果显示样品具有良好的电子发射特性，开启电压为7～10V／μm．