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戴伟; 王丽; 张志国; 高学邦; 吴洪江;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
石家庄050051;
总装科技信息研究中心;
北京100028;
AlGaN; GaN; HFET; 薛定谔方程; 逆压电效应(IPPE); 源漏凹槽; 电流崩塌;
机译:基于逆极压电效应的光电压传感器非透镜相移误差的分析与抑制
机译:高性能常关型AlGaN / GaN MOSFET的选择性区域生长技术中的背景掺杂抑制
机译:使用h-BN的衬底转移技术抑制AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的自热效应
机译:AlGaN / GaN HEMT中通过硅衬底去除技术抑制电流崩塌
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:用作柔性应变传感器的AlGaN / ALN / GaN异质结纳米线中的压电效应
机译:错误:“使用H-BN的基板转印技术”抑制AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的自热效应“Appl。物理。吧。 105,193509(2014)
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制
机译:p型AlGaN半导体层,基于AlGaN的半导体发光元件,基于AlGaN的半导体光接收元件以及形成p型AlGaN半导体层的方法
机译:使用逆电渗析技术的电离斑和使用逆电渗析技术的电离斑的生产方法
机译:AlGaN气相沉积方法和通过AlGaN气相沉积方法制造的AlGaN晶体厚膜基板
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