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张丽; 齐海涛; 程红娟; 史月增;
中国电子科技集团公司第四十六研究所;
天津300220;
多物理场耦合; AlN单晶; 物理气相传输法; 热场分布; 稳定性;
机译:通过三维数值模拟和模拟通过物理蒸汽传输方法对ALN单晶生长对AlN和SiC种子的热应激性能的比较
机译:在锗单晶生长的不同阶段的RF Czochralski炉的全局模拟,第II部分:研究坩埚相对位置对等温,流场和热弹性应力的影响
机译:HVPE对一维单晶AlN纳米结构的生长及其场发射性能**
机译:ALN碳热还原法AlN单晶生长AlN缓冲层
机译:块状AlN单晶衬底上的富铝AlGaN和AlN生长
机译:钨罐升温升温升华生长升高的均质化45毫米ALN单晶
机译:基于AB Initio的Monte Carlo模拟Aln在4H-SiC中生长的结构稳定性(11-20)
机译:alN涂层siC衬底上alN单晶的升华生长。阶段1
机译:ALN材料单晶膜外延生长的ALN材料和底物的单晶膜的制造方法
机译:制备单晶Aln材料膜和用于单晶Aln材料膜生长的基质的方法
机译:制造AlN单晶的方法和用于生长AlN单晶的基础材料
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