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高渊; 刘英坤; 邓建国; 梁东升; 董军平;
河北工业大学信息工程学院;
天津300310;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
石家庄050051;
局部氧化隔离; 化学机械抛光; 反刻; 抛光速率; 选择比;
机译:浅沟槽隔离工艺技术中硅表面原子平坦化的介绍
机译:两层平坦化工艺在VLSI金属间介电和沟槽隔离工艺中的应用
机译:具有抗菌性能的新型表面活性剂贝拉米-R-R CO1ML-BG(开发的产品)和天然衍生的保湿剂LOCOS特性和应用于化妆品
机译:用于硅片微波集成电路LOCOS的深沟平坦化
机译:将系统工程原理和方法应用于高级技术研究项目。
机译:Digital Megavolt Imager检测器的剂量率响应用于平坦化无滤波器光束
机译:应用于蛋白质设计的能量最小化技术研究
机译:制造方法和技术研究涵盖自动化制造工艺应用于电缆连接器的方法。第1卷
机译:使用可流动氧化物来增强浅沟槽隔离工艺中的平坦化的半导体制造
机译:使用浅平坦化的沟槽的半导体衬底的有源区的隔离工艺以及包括这种沟槽的器件
机译:用于监视应用于基于金属的图案化对象的化学机械平坦化过程的方法和设备
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