氧化镓生长模拟中的流场与反应参数优化研究

摘要

建立了用于生长直径为15.24cm(6inch)的Ga2O3材料的氢化物气相外延(HVPE)生长腔的二维几何模型,对Ga2O3材料的生长进行了数值模拟。依次优化了GaCl进气速度、O2进气速度、喷口到衬底间的距离等关键参数,在较高生长速率下使衬底上的Ga2O3膜厚相对均匀度达到7.02%。此外,对仿真中不同的反应活化能设置进行了对比实验,发现活化能参数虽然对平均生长速率有明显影响,但是对样品的生长速率分布及均匀性影响不大。