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戴必胜;
南京邮电大学;
机译:高品质氧化镓外延生长技术通过HVPE方法
机译:垂直HVPE反应器中生长GaN的仿真
机译:HVPE GaN的生长参数依赖性以及生长层的极性和晶体质量
机译:HVPE法研究氧分压和生长温度对c面蓝宝石衬底上ε-氧化镓生长的影响
机译:氧化镓薄膜和装置的生长和表征
机译:人参链霉菌生产L-天冬酰胺酶的生长参数优化研究
机译:汽车仪仪灯引导支撑注塑成型工艺仿真及工艺参数优化研究
机译:用于IR和THz生成的HVpE生长的厚Gaas结构的表征
机译:具有HVPE工艺制成的氧化镓外延层的功率半导体
机译:氧化镓晶体的生产设备,氧化镓晶体的生产方法以及使用此坩埚生长氧化镓晶体的坩埚
机译:用于生长具有均匀厚度的GaN的垂直HVPE反应器以及使用该方法制造GaN基体的方法
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