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吕家将; 刘星童;
九江职业技术学院机械工程学院,江西九江332007;
武汉大学动力与机械学院,武汉430072;
倒装LED; 分布式布拉格反射镜; 双金属层电极; 环形叉指; 平均反射率;
机译:基于GaN的倒装芯片LED,具有高反射ITO / DBR P型和通过基于空穴的N型触点,用于增强电流扩展和光提取
机译:具有高反射率和广角银镜SiO / TiO DBR背面反射器的基于氮化物的LED
机译:深紫外线中应变设计的高反射率DBR
机译:基于多介质薄膜的FPI的高反射率和低相移分析。
机译:使用超薄Pt催化剂通过PECVD在GaN LED外延片上生长类似于石墨烯的无转移薄膜用于透明电极应用
机译:采用AG / SiO2 / DBR / SiO2复合体破坏提高高功率GaN的倒装芯片LED外部量子效率
机译:基于超薄膜和CNT纳米复合材料的LED和光电池链式限制和电荷渗透的光收集聚合物的大型光电增强
机译:具有高反射层的倒装芯片键合结构GaN LED,可提高反射率并确保稳定的电极键合过程
机译:台面具有高反射率介电涂层的半导体LED倒装芯片
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