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刘运启; 薛忠营; 张波;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室;
上海200050;
中国科学院大学;
北京100049;
绝缘体上锗(GOI); Ge/Si0.7Ge0.3/Ge; 低剂量; H^+吸附; 剥离;
机译:绝缘体上应变硅衬底上应用Ge缩合技术制备的高绝缘体绝缘硅锗p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:通过绝缘体上硅锗结构的直接缩合制备具有超低缺陷密度的绝缘体上锗晶片
机译:高通量Ge〜+离子注入后通过锗缩合制备的绝缘体上SiGe
机译:氢离子注入剂量对通过智能切割技术制备的绝缘体上锗基衬底特性的影响
机译:硅锗异质结构互扩散研究和选择性氧化制备绝缘体上锗
机译:结合锗溅射和掺杂剂注入的纳米多孔锗薄膜生产
机译:采用CmOs绝缘体上硅技术制造的电荷注入光栅像素
机译:用于绝缘体上硅(sOI)技术的非破坏性X射线,光学和电学材料表征技术
机译:使用氢注入来改善通过热扩散制成的绝缘体上硅锗材料的材料性能
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