电子束蒸发制备PbI_2薄膜及其性能表征

摘要

采用电子束蒸发工艺在普通玻璃衬底上制备了PbI2多晶薄膜,研究了不同衬底温度对薄膜结构、表面形貌及紫外-可见光谱的影响。XRD结构表征显示,不同衬底温度下沉积的PbI2薄膜均属六方结构,低温下呈现(002)方向的c轴择优生长,但随着衬底温度的升高,择优生长弱化;SEM形貌分析结果表明,PbI2薄膜的晶粒尺寸随着衬底温度的升高而增大,同时晶粒间应力造成的突起减少,薄膜表面致密度和平整度提高;UV光谱测试结果表明,不同衬底温度下制备PbI2薄膜透过光谱的吸收限均在515nm附近,且呈现陡直的吸收边。计算发现,薄膜禁带宽度约为2.42eV,随着衬底温度升高而略微增大,显示结晶质量提高。