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蔡道民; 李献杰; 赵永林; 刘跳; 高向芝; 郝跃;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
石家庄050051;
西安电子科技大学微电子学院;
西安710071;
双异质结双极晶体管(DHBT); 缓变层; 发射极-基极自对准; 空气桥; 侧向腐蚀;
机译:f_t和f_(max)为185 GHz的超高速InP / InGaAs SHBT
机译:超高速InP HEMT-500GHzレベルf_T,f_(max)
机译:II型II型INP / GAAS_XSB_(1-X)DHBTS,具有同时F_T和F_(MAX)> 340 GHz由联系光刻制造
机译:超过1 THz带宽的大规模InP / InGaAs DHBT
机译:从截止和正常偏置条件下测量的s参数直接提取Inp / Gaassb / Inp DHBT等效电路元件
机译:采用Inp台面DHBT技术,在176 GHz时具有7 dB增益的共基极放大器
机译:InP集电极InGaAsSb基DHBT器件及其形成方法
机译:基于inp收集器ingasassb的DHBT装置及其形成方法
机译:Inp收集器Ingaassb基础dhbt装置及其形成方法
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