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李婷婷; 周玉春; 杨路华; 李晓波; 王静辉;
同辉电子科技股份有限公司;
石家庄050051;
内蒙古自治区电子信息产品质量检验院;
呼和浩特010010;
西安中为光电科技有限公司;
西安710065;
AlN成核层; 近紫外LED; 蓝宝石图形衬底(PSS); 腐蚀坑密度; 外量子效率;
机译:AlN成核层对高温氢化物气相外延法生长AlN薄膜的影响
机译:AlN成核层生长条件对分子束外延(MBE)生长的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中缓冲液泄漏的影响
机译:分子束外延对成核层生长过程中Al / N通量比对蓝宝石生长AlN结构性能的影响
机译:GaN / Si(111)外延的特性使用Al_(0.1)Ga_(0.9)n / Aln复合成核成核层具有不同厚度的Aln
机译:氮化铝和近紫外LED的横向外延生长,用于白色照明应用。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:具有纳米级厚的Aln成核层对基于Algan的深紫外发光二极管的纳米级厚的Aln成核膜的高质量和无裂缝Aln膜的异质生长
机译:alGaN外延层生长的alN模板中漏斗缺陷内的不稳定位错
机译:具有蓝宝石(0001)衬底,初始AlN层和横向过度生长的AlXGAYN(0001)层的用于外延生长的模板的制造方法
机译:气相生长设备和生长AlN外延层的方法
机译:制造光电半导体芯片即LED芯片的方法涉及通过蚀刻工艺将生长表面图案化,以及将半导体有源层序列外延生长到图案化的生长表面
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