用慢正电子束研究H/He中性束辐照W-ZrC合金中的缺陷演化

摘要

利用GLADIS中性粒子束辐照设备对W-ZrC(W-0.5%ZrC,质量分数)合金进行纯H中性束辐照、H+6%He(原子分数)中性束辐照。采用Doppler展宽慢正电子束分析(DB-SPBA)和SEM表征样品的空位型缺陷和表面形貌。在相同纯H中性束辐照功率与注量下,Doppler展宽结果表明,辐照表面温度为850℃时,样品中缺陷类型主要为空位与H之比较大的H-V复合体;1000℃的样品不存在缺陷损伤层,这主要是由于缺陷在高温下进行了恢复。SEM结果表明,辐照表面温度为1000℃的样品比850℃的样品表面光滑,表面损伤得到恢复。在相同H+6%He中性束辐照功率与注量下,辐照表面温度为800℃的样品相比700℃的样品,S参数更大,表明辐照表面温度为800℃时,空位型缺陷迁移合并更为明显,空位型缺陷体积更大,样品中的缺陷损伤层更宽,损伤更为严重。