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彭子和; 秦海鸿; 修强; 张英; 荀倩;
南京航空航天大学自动化学院;
南京211106;
查尔姆斯理工大学电力工程系;
瑞典哥德堡999034;
增强型氮化镓(GaN)HEMT; 开关行为; 寄生电感; 双脉冲测试; 优化布局;
机译:高压共源共栅GaN HEMT的封装寄生电感提取和仿真模型开发
机译:用不同GaN沟道层厚度对增强型AlGaN / GaN / AlGaN / AlGan双异质结构HEMT的影响
机译:耗散衬底对增强型AlInN / GaN HEMT性能的影响
机译:GaN HEMT,MIS-HEMT和P栅极HEMT的可靠性和失效物理学用于电源开关应用 - 由于深度效应和时间依赖性分解现象,寄生效应和降解
机译:Gan hemts和moshemts用于电源开关应用
机译:Si上In0.18Al0.82N / AlN / GaN MIS-HEMT(金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管)的陡峭开关
机译:多MHz开关频率对Gan-on-Si Hemts动态导通电阻的影响
机译:在提取GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)的寄生电感时去除残余栅源电容的数值技术
机译:P-GAN增强型HEMTS掺杂剂扩散垫片
机译:Si衬底上的增强型GaN基HEMT器件及其制造方法
机译:基于SI基体的增强型基于GAN的HEMT器件及其制造方法
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