University of Notre Dame;
机译:具有P-GaN栅极和电力电子应用的Hybrid Algan缓冲层的新型高击穿电压和高开速GaN HEMT
机译:大功率开关应用Alo.42lno.o3Gao.55N / UID-AIN / GaN / GaN异质结构四级势垒上高k介电材料MIS-HEMTs器件的表征和优化
机译:高〜k介电材料MIS-HEMTS装置的特征与优化ALO.42LNO.O3GaO.55N / UID-AIN / GAN / GAN异质结构进行高功率开关应用
机译:GaN HEMT,MIS-HEMT和P栅极HEMT的可靠性和失效物理学用于电源开关应用 - 由于深度效应和时间依赖性分解现象,寄生效应和降解
机译:用于RF功率应用的常压ALN / GAN MOSHEMTS的设计和制造
机译:Si上In0.18Al0.82N / AlN / GaN MIS-HEMT(金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管)的陡峭开关
机译:用于电源开关应用的GaN-On-Si MIS-HEMTS的综合动态导通性评估