首页> 中文期刊> 《半导体技术 》 >退火工艺对滴涂法制备的Cu2ZnSnS4薄膜性能的影响

退火工艺对滴涂法制备的Cu2ZnSnS4薄膜性能的影响

         

摘要

采用滴涂法将Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米墨水制成薄膜,研究了退火工艺对薄膜性能的影响。首先,采用乙醇作为溶剂、三乙醇胺作为分散剂,将微波液相合成的水性CZTS纳米颗粒配成纳米墨水,并采用滴涂法将纳米墨水制成CZTS薄膜。其次,为了提高薄膜的结晶性,将制备的CZTS薄膜在氮气气氛下进行退火处理,研究了退火温度与退火时间对薄膜形貌、成分及物相结构的影响。研究结果表明,随着退火时间的延长,薄膜中的Cu2-xS杂相逐渐消失,薄膜的结晶性和致密性逐渐提高;随着退火温度的增加,薄膜的结晶性与致密性也有所提高。在500℃下退火30 min,所制备的CZTS薄膜不存在杂质相,且表面较为均匀致密。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号