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李冲; 杨帅; 刘玥雯; 徐港; 关锴; 李占杰; 李巍泽; 刘云飞;
北京工业大学信息学部光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京100124;
北京工业大学材料与制造学部先进半导体光电技术研究所,北京100124;
硅基雪崩探测器; 击穿电压; 温度系数; 击穿模型;
机译:等效电路模型和偏置效应对波导雪崩光电探测器(WG-APD)的增益和带宽的影响
机译:具有低击穿电压和高增益的4h-sic紫外线雪崩光电探测器
机译:雪崩光电二极管:硅光子学重新发明了雪崩光电探测器
机译:利用电路模型分析PIN雪崩光电探测器的瞬态和频率
机译:高速光电探测器的设计,分析和宏观建模,强调了联合打开效应雪崩光电二极管和横向p-i-n光电二极管。
机译:单光子计数雪崩光电二极管探测器的后脉冲行为和模型的比较研究
机译:通过使用偏置依赖性击穿概率定位雪崩结构和硅光电倍增器中的击穿产生电荷载波的起源
机译:用于2微米制度的单光子雪崩光电探测器(spap)性能预测数值模型的开发
机译:将光信号转换为电信号的雪崩光电探测器元件,使用该雪崩光电探测器元件的电路以及雪崩光电探测器的使用
机译:用于将光学信号转换为电子信号的雪崩光电探测器元件,雪崩光电探测器的使用以及制造雪崩光电探测器的方法
机译:雪崩击穿电压降低的雪崩光电二极管
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