机译:具有低击穿电压和高增益的4h-sic紫外线雪崩光电探测器
Physics Department, Xiamen University, Xiamen 361005, China;
4h-sic; ultraviolet; avalanche photodetectors (apds);
机译:电荷层优化4H-SIC SACM雪崩光电二极管,低击穿电压和高增益
机译:具有高雪崩击穿电压和低导通电阻的新型截断V槽4H-SiC MOSFET
机译:高压4H-SiC P(+) - N(0)-N(+)二极管的电流 - 电压特性在雪崩击穿模式下
机译:高增益低偏压大面积可见盲4H-SiC紫外雪崩光电二极管
机译:太阳盲紫外光电探测器,焦平面阵列和可见盲雪崩光电二极管。
机译:高紫外线检测效率的4H-SiC分离吸收电荷和倍增雪崩光电二极管结构的优化策略
机译:GAT在高电流增益和高雪崩击穿电压之间的兼容性分析
机译:位移损伤对低击穿电压si雪崩光电二极管的时间分辨增益和带宽的影响