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雷耀虎; 郭金川; 赵志刚; 牛憨笨;
深圳大学光电子学研究所教育部和广东省光电子器件与系统重点实验室;
广东深圳518060;
华中科技大学光电子科学与工程学院;
武汉430072;
光照; 电化学刻蚀; 扩散; n型硅;
机译:电化学刻蚀制备多孔硅/ p-Si异质结的电学研究
机译:电化学刻蚀制备的Si纳米微晶的表面光电压研究
机译:不同阳极电位下电化学刻蚀的n-Si(111)电极的表面形态研究
机译:数值方法中可变时间步长研究用于MEMS的Si的LPHD等离子刻蚀中的滞后效应
机译:在使用Langmuir探针和光发射光谱法的深反应离子刻蚀系统中,等离子体表征和刻蚀速率以及通孔侧壁角度相关。
机译:金属辅助湿法刻蚀合成的Si / Ge纳米线的可见光和红外光发射
机译:GaAs压力诱导深供料的光耦合研究:Si
机译:基于n-Gaas和n-si的非水电化学光伏电池
机译:通过深反应离子刻蚀制造微系统,包括例如:提供用于深反应离子刻蚀的刻蚀工具,进行包括刻蚀步骤的深离子刻蚀的多个重复处理间隔
机译:SI晶片的电化学刻蚀方法
机译:基于si0深2-al深2 o深3-na深2 o,zno和/或mgo及其强度erhoehenden釉之一的玻璃陶瓷体及其生产方法。
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