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巩晨; 王新泽; 张荣跻; 刘敏; 马一楠; 刘轩; 阎海涛; 毛海央;
中国科学院大学;
北京100029;
中芯国际集成电路制造有限公司;
北京100176;
分裂栅存储器; 湿法刻蚀; 分步刻蚀; 磷酸换酸方式;
机译:浮栅非易失性存储器中栅极电容耦合系数的提取:虚拟单元提取方法中浮栅存储器与参考晶体管失配影响的统计研究
机译:隧道层和栅间介电TaN浮栅存储器的研究
机译:基于p型硅纳米线的纳米浮栅存储器,其中Au纳米粒子嵌入Al_2O_3栅层中
机译:利用N掺杂Lab_6 / Lab_XN_Y堆叠层的五苯基有机浮栅存储器低压操作的研究
机译:纳米晶体浮栅非易失性存储器的研究。
机译:具有U形凹槽的浮栅存储器用于神经形态计算和MCU应用
机译:非易失性存储器:新的浮栅存储器,具有出色的保持特性(ADV。电子。Matter。4/2019)
机译:翼型叶栅气动弹性现象研究中的经典翼型叶栅非平稳空气动力学实验研究。
机译:非易失性存储器件的制造包括在浮栅上形成电介质层,该浮栅通过去除层间电介质图案之间的模制图案而暴露,并在浮栅上形成控制栅。
机译:一种用于集成电路的一次性可编程存储器件,包括:形成在有源区和隔离层上的浮栅;形成在浮栅上的栅间电介质层;以及形成在栅间电介质层上的控制栅
机译:具有分裂栅读取晶体管和分裂栅编程晶体管存储单元的浮栅存储器及其制造方法
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