ZnO缓冲层对Mg_(0.3)Zn_(0.7)O紫外探测器的影响

摘要

利用溶胶-凝胶法制备了Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜,并制作了金属-半导体-金属结构的深紫外探测器。研究了高质量ZnO缓冲层的引入对Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜的吸收谱和结晶特性以及Mg_(0.3)Zn_(0.7)O紫外探测器响应参数的影响。实验结果表明:ZnO缓冲层的引入使Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜的紫外-可见光吸收谱有轻微的红移,但可以明显提高薄膜的结晶质量,同时ZnO/Mg_(0.3)Zn_(0.7)O探测器的I-V特性表明,ZnO缓冲层的引入可以显著提高器件的光电流,改善其响应特性,在20V偏压下将Mg_(0.3)Zn_(0.7)O探测器的响应度由0.035A/W提高至0.63A/W。