机译:优化层厚度的层厚度= -0.3 - = / sub = -ga- = sub = -0.7 - = / sub = -0.7 - = / sub = -as,在三阶段中的 - = sub = -0.3 - = / sub = -ga- = sub = -0.7 - = /子= -as / gaas / in- = sub = -0.5 - = /子= -ga-= sub = -0.5 - = / sub = -p阳光明媚的元素
机译:丙烷的加重反应中Ga-和含有含有含有戊酰胺的物理化学和催化性能
机译:气溶胶辅助MOCVD法生长In,Ga和Al掺杂的ZnO薄膜的性能:沉积温度,掺杂水平和退火的影响
机译:Ga-,In-和Al-单腈的高压诱导相变的现象学理论
机译:液滴外延生长的(0.49)Ga-(0.51)P中的InP环形纳米结构的形成
机译:Al和Ga掺杂的ZnO的结构和性能。
机译:通过纳米划痕实验确定的Ga和N面对的大量氮化镓表面的纳米摩擦学性质
机译:高速光学范围光电探测器950-1100nm基于IN- = sub = -0.4 - = / sub = -ga- = sub = -0.6 - = / sub = -as / gaas-nanostructure量子坑点
机译:Ga-p-Zn和Ga-as-Zn系统的三元相图及其在扩散问题中的应用