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冯玉昆; 于国浩; 吴冬东; 杜仲凯; 张炳良; 李新宇; 张宝顺;
桂林理工大学理学院;
广西桂林541004;
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
江苏苏州215123;
苏州能屋电子科技有限公司;
高电子迁移率晶体管(HEMT); AlGaN/GaN异质结; p-GaN栅; 增强型; 栅漏电;
机译:采用氢等离子体处理的常关型p-GaN / AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:具有通过感应耦合等离子体氧化制备的绝缘栅的AlGaN / GaN HEMT
机译:嵌入式栅和基于氟化物的等离子体处理方法对常关AlGaN / GaN HEMT的影响
机译:栅后沉积退火对带有p-GaN栅极的AlGaN / GaN HEMT的电学特性的影响
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:常关P-GaN门控AlGaN / GaN Hemts使用等离子体氧化技术在接入区域中
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
机译:形成栅极电极的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT的方法
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