首页> 中文期刊> 《稀有金属》 >非易失性阻变存储器研究进展

非易失性阻变存储器研究进展

         

摘要

随着器件特征尺寸不断缩小,集成度不断提高,传统的基于电荷存储的非易失性FLASH存储器将面临物理与技术的极限。新型的阻变存储器具有高速读写、存储密度高、能耗低等优点引起了微电子产业界广泛关注。介绍了阻变存储器的阻变行为,综述了目前研究的存储机制、性能及其改善方法、材料体系、器件结构,并展望了阻变存储器的应用前景。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号