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赵鸿滨; 屠海令; 杜军;
北京有色金属研究总院先进电子材料研究所;
北京100088;
北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心;
非易失性存储器; 电阻转变; 阻变机制;
机译:透明阻性随机存取存储器及其非易失性阻变特性
机译:忆阻性非易失性金属氧化物存储器中阳离子和阴离子的双重缺陷
机译:基于纳米级忆阻的非易失性静态随机存取存储器的设计与性能分析
机译:使用电阻式存储器(忆阻器)器件的非易失性逻辑和非易失性SRAM的耐久电路设计
机译:使用五氧化二钽作为固体电解质的非易失性电阻存储器(RRAM)中的快速瞬变。
机译:晶体管存储器:45-二氮杂芴基供体-受体小分子作为可调非易失性有机晶体管存储器的电荷俘获元件(Adv。Sci。12/2018)
机译:Mott绝缘子系列中的电场感应阻性开关:面向非易失性Mott-RRAM存储器
机译:非易失性和低温兼容的量子存储器件(QumEm)。
机译:变阻非易失性存储元件的写入方法及变阻非易失性存储装置
机译:具有易失性和非易失性状态的忆阻器存储器
机译:两端非易失性忆阻器和存储器
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